Биполярный транзистор с изолированным затвором FGA25N120ANTD для систем индукционного нагрева. Особенностью транзистора является устойчивость к лавинному нарастанию мощности.
Транзистор выдерживает 450 мДж лавинной мощности, что позволяет обеспечить безопасную работу в любых условиях (скачки напряжения в сетях переменного тока, выход из строя какого-либо узла и пр.).
Транзистор рассчитан на работу при напряжениях до 1200 В и выпускается в корпусе ТО-3 по бессвинцовой технологии.
Технические параметры
Структура IGBT+диод
Максимальное напряжение кэ, В: 1200
Максимальный ток кэ при 25°С, A: 50
Напряжение насыщения при номинальном токе, В: 2
Управляющее напряжение, В: 5.5
Мощность макс., Вт: 312
Температурный диапазон, °С -55…+150
Дополнительные опции: встроенный быстродействующий диод
Корпус to-3p
Транзисторы б/у с напаянными ножками, оттестированные.
