Фотодиод BPW34S SMD, 850 нм, кремниевый PIN-фотодиод
Описание:
Фотодиод BPW34S в корпусе для поверхностного монтажа (SMD) с чувствительной площадью 2.65×2.65 мм². Предназначен для работы в спектральном диапазоне 400–1100 нм с пиком чувствительности 850 нм. Обладает коротким временем переключения 20 нс и высоким фототоком до 80 мкА. Идеален для применений в оптических датчиках, системах связи, измерительных приборах и устройствах с ИК-подсветкой.
Характеристики:
-
Тип: кремниевый PIN-фотодиод
-
Корпус: SMD (для поверхностного монтажа)
-
Чувствительная область: 2.65×2.65 мм²
-
Спектральный диапазон: 400–1100 нм
-
Пик чувствительности: 850 нм
-
Максимальный фототок: 80 мкА
-
Время переключения: 20 нс
-
Угол обзора: 60° (половинный угол)
-
Технология монтажа: подходит для пайки оплавлением
-
Назначение: оптические датчики, ИК-приемники, системы связи
| Файл | Размер файла | ||
 |
Datasheet |
224.99 KB |  |
